ویژگی های اصلی

وزن

9.7 گرم

سایر قابلیت ها

سازگار با PS5قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite)قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.40x24.00x10.70 میلی‌متردمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتی‌گرادحداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500GLDPC (Low Density Parity Check) ECC AlgorithmEnd to End Data Path ProtectionAPST (Autonomous Power State Transition)میانگین عمر 700 TBW

کنترل کننده

PHISON E18PHISON E18

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

700K (IOPS)

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

350K (IOPS)

نوع رابط حافظه

PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

ظرفیت

یک ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500G

میانگین عمر

1600000 ساعت

نوع فلش

3D NAND3D NAND

مشخصات

سایر قابلیت ها

حافظه کش DRAM معادل 2 گیگابایت DDR4 /
سازگار با رابط‌های PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 /
قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) /
قابلیت‌های LDPC و End to End Data Path Protection و APST و رمزگذاری داده‌ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite)
APST (Autonomous Power State Transition)
End to End Data Path Protection
LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm
ابعاد: 80.40x24.00x10.70 میلی‌متر
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500G
دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتی‌گراد
رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite)
سازگار با PS5
فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)
قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM)
قابلیت تصحیح خطا
میانگین عمر 700 TBW

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

۱,۰۰۰,۰۰۰ IOPS
350K (IOPS)

نوع رابط حافظه

PCIe Gen4 x4, NVMe 1.4
PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

کنترل کننده

PHISON E18
PHISON E18

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

1,000,000 IOPS
700K (IOPS)

ابعاد

80x22x2.15 میلی‌متر
-

ظرفیت

چهار ترابایت
یک ترابایت

میانگین عمر

1,600,000 ساعت
1600000 ساعت

نوع حافظه فلش

3D NAND
-

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

7000 MB/S
5500 MB/S

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

7400 MB/S
7000 MB/S

مصرف برق

تا 11.3 وات
-

رابط ها

PCI-Express 4.0 x4
-

تماس با ما