
ویژگی های اصلی
وزن | 9.7 گرم | |
سایر قابلیت ها | سازگار با PS5قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite)قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.40x24.00x10.70 میلیمتردمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگرادحداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500GLDPC (Low Density Parity Check) ECC AlgorithmEnd to End Data Path ProtectionAPST (Autonomous Power State Transition)میانگین عمر 700 TBW | |
کنترل کننده | PHISON E18 | PHISON E18 |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | 700K (IOPS) | |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | 350K (IOPS) | |
نوع رابط حافظه | PCIe Gen4x4, NVMe 1.4 | |
ظرفیت | یک ترابایت | |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G | |
میانگین عمر | 1600000 ساعت | |
نوع فلش | 3D NAND | 3D NAND |
مشخصات
سایر قابلیت ها | حافظه کش DRAM معادل 2 گیگابایت DDR4 /سازگار با رابطهای PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 /قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) /قابلیتهای LDPC و End to End Data Path Protection و APST و رمزگذاری دادهها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite) | APST (Autonomous Power State Transition)End to End Data Path ProtectionLDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithmابعاد: 80.40x24.00x10.70 میلیمترحداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500Gدمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگرادرمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite)سازگار با PS5فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM)قابلیت تصحیح خطامیانگین عمر 700 TBW |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | ۱,۰۰۰,۰۰۰ IOPS | 350K (IOPS) |
نوع رابط حافظه | PCIe Gen4 x4, NVMe 1.4 | PCIe Gen4x4, NVMe 1.4 |
کنترل کننده | PHISON E18 | PHISON E18 |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | 1,000,000 IOPS | 700K (IOPS) |
ابعاد | 80x22x2.15 میلیمتر | - |
ظرفیت | چهار ترابایت | یک ترابایت |
میانگین عمر | 1,600,000 ساعت | 1600000 ساعت |
نوع حافظه فلش | 3D NAND | - |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 7000 MB/S | 5500 MB/S |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 7400 MB/S | 7000 MB/S |
مصرف برق | تا 11.3 وات | - |
رابط ها | PCI-Express 4.0 x4 | - |