ویژگی های اصلی

سایر قابلیت ها

قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) / رمزگذاری داده‌ها (Pyrite) / دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتی‌گراد

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

525,000 (IOPS)

کنترل کننده

PHISON E21T

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

950,000 (IOPS)

نوع رابط حافظه

PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

ظرفیت

دو ترابایتدو ترابایت

میانگین عمر

تا 1,500,000 ساعت

نوع فلش

3D NAND3D NAND

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

4400 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

4900 مگابایت بر ثانیه

مشخصات

ظرفیت

500 گیگابایت
دو ترابایت
یک ترابایت
دو ترابایت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

1750 مگابایت بر ثانیه
10,000 مگابایت بر ثانیه
-4400 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

2400 مگابایت بر ثانیه
10,000 مگابایت بر ثانیه
-4900 مگابایت بر ثانیه

تماس با ما