
ویژگی های اصلی
وزن | 9.7 گرم | |||
سایر قابلیت ها | قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite)قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.00x22.00x2.15 میلیمتردمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگرادحداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500G | |||
کنترل کننده | PHISON E15T | |||
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | 550K (IOPS) | |||
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | 420K (IOPS) | |||
نوع رابط حافظه | PCIe Gen3x4, NVMe 1.4 | |||
ظرفیت | یک ترابایت | یک ترابایت | ||
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G | |||
میانگین عمر | 1500000 ساعت | |||
نوع فلش | 3D NAND | 3D NAND |
مشخصات
ظرفیت | 500 گیگابایت | دو ترابایت | یک ترابایت | یک ترابایت |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 1750 مگابایت بر ثانیه | 10,000 مگابایت بر ثانیه | - | 3300MB/S |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 2400 مگابایت بر ثانیه | 10,000 مگابایت بر ثانیه | - | 3000MB/S |







