وزن				10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده				Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه				PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت		دو ترابایت	دو ترابایت	دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک				1500g , 0.5ms
میانگین عمر				1.5 میلیون ساعت
نوع فلش	MLC			MLC
قابلیت های حافظه				پشتیبانی از TRIM

وزن	8 گرم	50 گرم	45 گرم	10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی	480,000IOPS	-	-	Up to 1,400,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی	550,000IOPS	-	-	Up to 1,550,000 IOPS
کنترل کننده	SAMSUNG Phoenix	-	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
ظرفیت	500 گیگابایت	دو ترابایت	دو ترابایت	دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک	1500G	-	-	1500g , 0.5ms
نوع فلش	MLC	-	-	MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	3200 MB/s	5000	-	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	3500 MB/s	7000	-	Up to 7,450 MB/s
قابلیت های مقاومتی	مقاوم در برابر لرزش	-	-	-

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 970 EVO PLUS ظرفیت 500 گیگابایت

0از 0 رای