ویژگی های اصلی

وزن

10 گرم

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ظرفیت

دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع فلش

MLC

قابلیت های حافظه

پشتیبانی از TRIM

مشخصات

وزن

10 گرم

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ظرفیت

دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع فلش

MLC

قابلیت های حافظه

پشتیبانی از TRIM

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 6,900 MB/s

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 7,450 MB/s

مصرف برق

Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)

رابط ها

PCI-Express 4.0 x4

قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل های

Client PCs, Game Consoles

تماس با ما