
ویژگی های اصلی
وزن | 10 گرم |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,400,000 IOPS |
کنترل کننده | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,550,000 IOPS |
نوع رابط حافظه | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
ظرفیت | دو ترابایت |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500g , 0.5ms |
میانگین عمر | 1.5 میلیون ساعت |
نوع فلش | MLC |
قابلیت های حافظه | پشتیبانی از TRIM |
مشخصات
وزن | 10 گرم |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,400,000 IOPS |
کنترل کننده | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,550,000 IOPS |
نوع رابط حافظه | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
ظرفیت | دو ترابایت |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500g , 0.5ms |
میانگین عمر | 1.5 میلیون ساعت |
نوع فلش | MLC |
قابلیت های حافظه | پشتیبانی از TRIM |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | Up to 6,900 MB/s |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | Up to 7,450 MB/s |
مصرف برق | Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode) |
رابط ها | PCI-Express 4.0 x4 |
قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل های | Client PCs, Game Consoles |