ویژگی های اصلی

سایر قابلیت ها

مقاوم در برابر شوک، قابلیت رمزنگاری داده ها، قابلیت پشتیبانی از TRIM

ظرفیت

250 گیگابایت250 گیگابایت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

1300 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

2900 مگابایت بر ثانیه

مشخصات

وزن

10 گرم
45 گرم
--

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS
Up to 13,000 IOPS
--

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC
Samsung MKX Controller
--

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS
Up to 88,000 IOPS
--

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
---

ظرفیت

دو ترابایت
یک ترابایت
250 گیگابایت
250 گیگابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms
1500G
--

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت
1.5 میلیون ساعت
--

نوع فلش

MLC
MLC
--

قابلیت های حافظه

پشتیبانی از TRIM
---

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 6,900 MB/s
530MB/S
-1300 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 7,450 MB/s
560mb/s
3500
2900 مگابایت بر ثانیه

مصرف برق

Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)
4W
--

رابط ها

PCI-Express 4.0 x4
---

قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل های

Client PCs, Game Consoles
---

تماس با ما