سایر قابلیت ها			مقاوم در برابر شوک، قابلیت رمزنگاری داده ها، قابلیت پشتیبانی از TRIM
ظرفیت			250 گیگابایت
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی			1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی			2900 مگابایت بر ثانیه

وزن	10 گرم	9 گرم	-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی	Up to 1,400,000 IOPS	3500Mb	-
کنترل کننده	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-	-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی	Up to 1,550,000 IOPS	-	-
نوع رابط حافظه	PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0	-	-
ظرفیت	دو ترابایت	یک ترابایت	250 گیگابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک	1500g , 0.5ms	-	-
میانگین عمر	1.5 میلیون ساعت	-	-
نوع فلش	MLC	-	-
قابلیت های حافظه	پشتیبانی از TRIM	-	-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	Up to 6,900 MB/s	-	1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	Up to 7,450 MB/s	-	2900 مگابایت بر ثانیه
مصرف برق	Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)	-	-
رابط ها	PCI-Express 4.0 x4	-	-
قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل های	Client PCs, Game Consoles	-	-

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ™PRO 990 PCIe®4.0 NVMe ظرفیت دو ترابایت

0از 0 رای