وزن			8 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی			480,000IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی			550,000IOPS
کنترل کننده			SAMSUNG Phoenix
ظرفیت		250 گیگابایت	250 گیگابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک			1500G
نوع فلش	MLC		MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی			2300 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی			3500 MB/s
قابلیت های مقاومتی			مقاوم در برابر لرزش

وزن	10 گرم	-	8 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی	Up to 1,400,000 IOPS	-	480,000IOPS
کنترل کننده	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-	SAMSUNG Phoenix
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی	Up to 1,550,000 IOPS	-	550,000IOPS
نوع رابط حافظه	PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0	-	-
ظرفیت	دو ترابایت	250 گیگابایت	250 گیگابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک	1500g , 0.5ms	-	1500G
میانگین عمر	1.5 میلیون ساعت	-	-
نوع فلش	MLC	-	MLC
قابلیت های حافظه	پشتیبانی از TRIM	-	-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	Up to 6,900 MB/s	-	2300 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	Up to 7,450 MB/s	3500	3500 MB/s
مصرف برق	Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)	-	-
رابط ها	PCI-Express 4.0 x4	-	-
قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل های	Client PCs, Game Consoles	-	-

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ™PRO 990 PCIe®4.0 NVMe ظرفیت دو ترابایت

0از 0 رای