ویژگی های اصلی

وزن

10 گرم

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ظرفیت

دو ترابایتدو ترابایتدو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع فلش

MLC

قابلیت های حافظه

پشتیبانی از TRIM

مشخصات

وزن

50 گرم
45 گرم
10 گرم

ظرفیت

دو ترابایت
دو ترابایت
دو ترابایت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

5000
-Up to 6,900 MB/s

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

7000
-Up to 7,450 MB/s

تماس با ما