وزن			10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی			Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده			Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی			Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه			PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت			دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک			1500g , 0.5ms
میانگین عمر	1.5 میلیون ساعت		1.5 میلیون ساعت
نوع فلش		MLC	MLC
قابلیت های حافظه			پشتیبانی از TRIM

ظرفیت	500 گیگابایت	250 گیگابایت	250 گیگابایت	دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک	1,500G(Gravity), duration: 0.5ms, 3 axis	-	1500G	1500g , 0.5ms
میانگین عمر	1.5 میلیون ساعت	-	-	1.5 میلیون ساعت
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	5,000 MB/s	1300 مگابایت بر ثانیه	2300 MB/s	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	6,900 MB/s	2900 مگابایت بر ثانیه	3500 MB/s	Up to 7,450 MB/s

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 980PRO ظرفیت 500 گیگابایت

0از 0 رای