وزن		10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی		Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده		Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی		Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه		PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت	دو ترابایت	دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک		1500g , 0.5ms
میانگین عمر		1.5 میلیون ساعت
نوع فلش	MLC	MLC
قابلیت های حافظه		پشتیبانی از TRIM

وزن	9 گرم	-	8 گرم	10 گرم
ظرفیت	یک ترابایت	250 گیگابایت	دو ترابایت	دو ترابایت
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه	3200 MB/s	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه	3500 MB/s	Up to 7,450 MB/s
مصرف برق	4.6 وات	-	-	Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 980 ظرفیت 1 ترابایت

0از 0 رای