وزن				10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده				Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه				PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت				دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک				1500g , 0.5ms
میانگین عمر				1.5 میلیون ساعت
نوع فلش				MLC
قابلیت های حافظه				پشتیبانی از TRIM

ظرفیت	یک ترابایت	3.84 ترابایت	250 گیگابایت	دو ترابایت
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	Up to 6,900 MB/s	530MB/S	1300 مگابایت بر ثانیه	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	Up to 7,450 MB/s	560mb/s	2900 مگابایت بر ثانیه	Up to 7,450 MB/s
رابط ها	PCI Express 4.0	-	-	PCI-Express 4.0 x4

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 990PRO with Heatsink ظرفیت یک ترابایت

0از 0 رای