وزن				10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده				Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه				PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت				دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک				1500g , 0.5ms
میانگین عمر				1.5 میلیون ساعت
نوع فلش				MLC
قابلیت های حافظه				پشتیبانی از TRIM

وزن	46 گرم	-	45 گرم	10 گرم
ظرفیت	هشت گیگابایت	250 گیگابایت	3.84 ترابایت	دو ترابایت
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	530 MB/S	1300 مگابایت بر ثانیه	530MB/S	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	560 MB/S	2900 مگابایت بر ثانیه	560mb/s	Up to 7,450 MB/s
مصرف برق	میانگین 2.2 وات	-	4W	Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)
نوع رابط	SATA 3.0	-	SATA 3.0	-

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO ظرفیت 4 ترابایت

0از 0 رای