وزن		10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی		Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده		Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی		Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه		PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت	دو ترابایت	دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک		1500g , 0.5ms
میانگین عمر		1.5 میلیون ساعت
نوع فلش		MLC
قابلیت های حافظه		پشتیبانی از TRIM

سایر قابلیت ها	مقاوم در برابر شوک، قابلیت رمزنگاری داده ها، قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	-	-
ظرفیت	250 گیگابایت	دو ترابایت	یک ترابایت	دو ترابایت
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	-	-	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	-	-	Up to 7,450 MB/s

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 980 M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

0از 0 رای