
ویژگی های اصلی
وزن | 10 گرم | ||
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,400,000 IOPS | ||
کنترل کننده | Samsung V-NAND 3-bit MLC | ||
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,550,000 IOPS | ||
نوع رابط حافظه | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 | ||
ظرفیت | دو ترابایت | ||
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500g , 0.5ms | ||
میانگین عمر | 1.5 میلیون ساعت | ||
نوع فلش | MLC | ||
قابلیت های حافظه | پشتیبانی از TRIM |
مشخصات
سایر قابلیت ها | مقاوم در برابر شوک، قابلیت رمزنگاری داده ها، قابلیت پشتیبانی از TRIM | - | - |
ظرفیت | 250 گیگابایت | 3.84 ترابایت | دو ترابایت |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 1300 مگابایت بر ثانیه | 530MB/S | Up to 6,900 MB/s |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 2900 مگابایت بر ثانیه | 560mb/s | Up to 7,450 MB/s |


























