وزن				10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده				Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه				PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت				دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک				1500g , 0.5ms
میانگین عمر				1.5 میلیون ساعت
نوع فلش				MLC
قابلیت های حافظه				پشتیبانی از TRIM

سایر قابلیت ها	مقاوم در برابر شوک، قابلیت رمزنگاری داده ها، قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	-	-
ظرفیت	250 گیگابایت	3.84 ترابایت	هشت گیگابایت	دو ترابایت
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	530MB/S	530 MB/S	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	560mb/s	560 MB/S	Up to 7,450 MB/s

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 980 M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

0از 0 رای