وزن		10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی		Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده		Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی		Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه		PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت		دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک		1500g , 0.5ms
میانگین عمر		1.5 میلیون ساعت
نوع فلش	MLC	MLC
قابلیت های حافظه		پشتیبانی از TRIM

وزن	8 گرم	46 گرم	9 گرم	10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی	480,000IOPS	-	3500Mb	Up to 1,400,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی	550,000IOPS	-	-	Up to 1,550,000 IOPS
کنترل کننده	SAMSUNG Phoenix	-	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
ظرفیت	250 گیگابایت	هشت گیگابایت	یک ترابایت	دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک	1500G	-	-	1500g , 0.5ms
نوع فلش	MLC	-	-	MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	2300 MB/s	530 MB/S	-	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	3500 MB/s	560 MB/S	-	Up to 7,450 MB/s
قابلیت های مقاومتی	مقاوم در برابر لرزش	-	-	-

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 970 EVO PLUS ظرفیت 250 گیگابایت

0از 0 رای