وزن				10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده				Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی				Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه				PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت				دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک				1500g , 0.5ms
میانگین عمر				1.5 میلیون ساعت
نوع فلش				MLC
قابلیت های حافظه				پشتیبانی از TRIM

وزن	45 گرم	-	9 گرم	10 گرم
ظرفیت	3.84 ترابایت	250 گیگابایت	یک ترابایت	دو ترابایت
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	530MB/S	1300 مگابایت بر ثانیه	-	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	560mb/s	2900 مگابایت بر ثانیه	-	Up to 7,450 MB/s
قابلیت های مقاومتی	مقاوم در برابر لرزش	-	-	-
مصرف برق	4W	-	-	Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)
نوع رابط	SATA 3.0	-	-	-

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل EVO 870 ظرفیت 4 ترابایت

0از 0 رای