ویژگی های اصلی

وزن

10 گرم

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ظرفیت

دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع فلش

MLCMLC

قابلیت های حافظه

پشتیبانی از TRIM

مشخصات

ظرفیت

250 گیگابایت
3.84 ترابایت
250 گیگابایت
دو ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

3500
560mb/s
3500 MB/s
Up to 7,450 MB/s

تماس با ما