ویژگی های اصلی

وزن

47.5 گرم

سایر قابلیت ها

حافظه بافر DRAM دارای فناوری SLC Cachingدارای فناوری اصلاح ارور LDPC ساختار حافظه 3D NAND Flash دارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابی‌ها: 2 میلیون ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد

ظرفیت

512 گیگابایت 512 گیگابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500G/0.5ms

میانگین عمر

2 میلیون ساعت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

520 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

550 مگابایت بر ثانیه

نوع رابط

SATA 3.0

مشخصات

سایر قابلیت ها

دارای هیت سینک جدید با 15% خنک کنندگی بیشتر پشتیبانی از NVMe 1.4 رمزگذاری 256 بیتی AES و LDPC
بهره‌مندی از رابط PCIe Gen3 x4
پشتیبانی از NVMe 1.4
دارای هیت سینک جدید با 15% خنک کنندگی بیشتر
رمزگذاری 256 بیتی AES و LDPC
ظرفیت بالای ذخیره‌سازی
عملکرد سریع در خواندن و نوشتن اطلاعات
گزینه عالی برای تولیدکنندگان محتوا
حافظه بافر DRAM
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
دارای فناوری SLC Caching
دارای فناوری اصلاح ارور LDPC
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ساختار حافظه 3D NAND Flash
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2 میلیون ساعت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

تا 180 هزار
تا 180 هزار
-

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

تا 150 هزار
تا 150 هزار
-

نوع رابط حافظه

PCIe Gen3 x4
PCIe Gen3 x4
-

ظرفیت

256 گیگابایت
512 گیگابایت
512 گیگابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500G / 0.5ms
1500G / 0.5ms
1500G/0.5ms

میانگین عمر

2,000,000 ساعت
2,000,000 ساعت
2 میلیون ساعت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

تا 1800 مگابایت بر ثانیه
تا 1800 مگابایت بر ثانیه
520 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

تا 2400 مگابایت بر ثانیه
تا 2400 مگابایت بر ثانیه
550 مگابایت بر ثانیه

تماس با ما