ویژگی های اصلی

وزن

47.5 گرم47.5 گرم

سایر قابلیت ها

حافظه بافر DRAM دارای فناوری SLC Cachingپشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطاساختار حافظه 3D NAND Flash دارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد

ظرفیت

256 گیگابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500G/0.5ms

میانگین عمر

2 میلیون ساعت2 میلیون ساعت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

520 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

550 مگابایت بر ثانیه

نوع رابط

SATA 3.0

مشخصات

سایر قابلیت ها

PCIe Gen4 x4
پشتیبانی از PS5 به عنوان فضای ذخیره‌سازی توسعه‌یافته
پشتیبانی از آخرین پلتفرم‌های اینتل و AMD
حداکثر سرعت خواندن/نوشتن به ترتیب 5000/4500 مگابایت بر ثانیه
ظرفیت 2 ترابایت
هیت سینک خنک‌کننده مؤثر
بهره‌مندی از رابط PCIe Gen3 x4
پشتیبانی از NVMe 1.4
دارای هیت سینک جدید با 15% خنک کنندگی بیشتر
رمزگذاری 256 بیتی AES و LDPC
ظرفیت بالای ذخیره‌سازی
عملکرد سریع در خواندن و نوشتن اطلاعات
گزینه عالی برای تولیدکنندگان محتوا
-پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
حافظه بافر DRAM
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
دارای فناوری SLC Caching
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ساختار حافظه 3D NAND Flash
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

تا 400 هزار
تا 180 هزار
--

کنترل کننده

SMI SM2269XT
-SMI
-

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

تا 550 هزار
تا 150 هزار
--

نوع رابط حافظه

PCIe Gen4 x4
PCIe Gen3 x4
--

ظرفیت

دو ترابایت
512 گیگابایت
یک ترابایت
256 گیگابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500G / 0.5ms
1500G / 0.5ms
1500G
1500G/0.5ms

میانگین عمر

2,000,000 ساعت
2,000,000 ساعت
2 میلیون ساعت
2 میلیون ساعت

نوع فلش

3D NAND
3D NAND
TLC
-

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

تا 4500 مگابایت بر ثانیه
تا 1800 مگابایت بر ثانیه
تا 520 مگابایت بر ثانیه
520 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

تا 4600 مگابایت بر ثانیه (PS5), تا 5000 مگابایت بر ثانیه (کامپیوتر/لپ تاپ)
تا 2400 مگابایت بر ثانیه
تا 560 مگابایت بر ثانیه
550 مگابایت بر ثانیه

تماس با ما