-
ویژگیهای محصول- وزن:80 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 75K
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 75K
- ظرفیت:480 گیگابایت
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
-
ویژگیهای محصول- ظرفیت:960 گیگابایت
- مصرف برق:1.86mW
-
ویژگیهای محصول- وزن:10 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:IOPS 38/51K
- ظرفیت:128 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G, duration 0.5ms, Half Sine Wave
- میانگین عمر:1.500.000 ساعت
-
ویژگیهای محصول- وزن:43 گرم
- ظرفیت:یک ترابایت
- میانگین عمر: دو میلیون ساعت
- نوع فلش:TLC
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:480MB/s
-
ویژگیهای محصول- وزن:100 گرم
- ظرفیت:128 گیگابایت
- نوع فلش:TLC
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:430 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:550 مگابایت بر ثانیه
-
ویژگیهای محصول- وزن:100 گرم
- ظرفیت:512 گیگابایت
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
- نوع فلش:TLC
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:480 مگابایت بر ثانیه
-
ویژگیهای محصول- وزن:7 گرم
- سایر قابلیت ها:TRIM Support
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:320K IOPS
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:90K IOPS
- نوع رابط حافظه:M.2 2280-PCIe 3.0
-
ویژگیهای محصول- وزن:7 گرم
- سایر قابلیت ها:TRIM Support
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:265K IOPS
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:105K IOPS
- نوع رابط حافظه:M.2 2280-PCIe 3.0
-
ویژگیهای محصول- وزن:7 گرم
- سایر قابلیت ها:TRIM Support
- نوع رابط حافظه:PCIe-M2 2280
- ظرفیت:512 گیگابایت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:1025MB/s
-
ویژگیهای محصول- نوع رابط حافظه:NVMe PCIe Gen4
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:7300 مگابایت بر ثانیه
- ظرفیت:یک ترابایت
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 2280Up to 7,300 MB/s
-
ویژگیهای محصول- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 800K IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 1100K IOPS
- ظرفیت:یک ترابایت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:6300MB/s
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:7300MB/s
-
ویژگیهای محصول- وزن:50 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:5150
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:5150
- ظرفیت:یک ترابایت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:5150
-
ویژگیهای محصول- ظرفیت:یک ترابایت
- میانگین عمر:2000000
- نوع حافظه فلش:3D NAND
- قابلیت های حافظه:پشتیبانی از TRIM
- قابلیت های مقاومتی:مقاوم در برابر شوک
-
ویژگیهای محصول- وزن:71 گرم گرم
- ظرفیت:120 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
- میانگین عمر:1,200,000 ساعت
- نوع فلش:MLC
-
ویژگیهای محصول- ظرفیت:250 گیگابایت
- میانگین عمر:1750000 ساعت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:تا 1600 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:تا 3100 مگابایت بر ثانیه
-
ویژگیهای محصول- کنترل کننده:SMI
- وزن:47.5 گرم
- ظرفیت:یک ترابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
-
ویژگیهای محصول- وزن:47 گرم
- سایر قابلیت ها:استفاده از چیپهای حافظه با فناوری 3D NAND
- کنترل کننده:SMI
- ظرفیت:128 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
-
ویژگیهای محصول- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:295000 IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:430000 IOPS
- ظرفیت:یک ترابایت
- میانگین عمر:1.5 میلیون ساعت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:2100 مگابایت بر ثانیه
-
ویژگیهای محصول- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:85,000IOPS
- وزن:40 گرم
- ظرفیت:256 گیگابایت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:431
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:534
-
ویژگیهای محصول- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:250
- وزن:40 گرم
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:210
- ظرفیت:480 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
بارگزاری محصولات بیشتر
هارد اس اس دی اینترنال
مقایسه ( 0 مورد )
- مشهد، خیابان احمدآباد، بین احمدآباد 21 و سه راه راهنمایی، ساختمان دیانا، طبقه اول تلفن مشهد : 4 8 0 0 5 4 8 3 1 5 0
- تلفن : 02128422914
با ما همراه باشید
