سایر قابلیت ها:حافظه کش DRAM معادل 2 گیگابایت DDR4 /
سازگار با رابطهای PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 /
قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) /
فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) /
قابلیتهای LDPC و End to End Data Path Protection و APST و رمزگذاری دادهها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite)
سایر قابلیت ها:سازگار با رابطهای PCIe Gen۴ / Gen۳ / Gen۲ / Gen۱ / قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) / قابلیتهای LDPC و End to End Data Path Protection و APST و رمزگذاری دادهها (Pyrite)
سایر قابلیت ها:حافظه کش DRAM معادل ۴ گیگابایت LPDDR۴ / فرم فاکتور M.۲ ۲۲۸۰ / سازگار با رابطهای PCIe Gen۵ / Gen۴ / Gen۳ / Gen۲ / Gen۱ / قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) / قابلیتهای LDPC و End to End Data Path Protection و APST و رمزگذاری دادهها (AES۲۵۶/OPAL۲.۰)
سایر قابلیت ها:حافظه کش DRAM معادل 8 گیگابایت LPDDR4 / فرم فاکتور M.2 2280 / سازگار با رابطهای PCIe Gen5 / Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 / قابلیت بهینهسازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) / قابلیتهای LDPC و End to End Data Path Protection و APST و رمزگذاری دادهها (AES256/OPAL2.0)
سایر قابلیت ها:فرم فکتور: SATA 2.5کنترل کننده: PHISON 11ابعاد: 100.20mm (L) x 69.85mm (W) x 7.00mm (H)دمای عملیاتی: 0°C – 70°Cمیانگین زمان عمر (MTBF): 2000000 ساعتفناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)Over-ProvisionLDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm
سایر قابلیت ها:PCIe Gen4 x4حداکثر سرعت خواندن/نوشتن به ترتیب 5000/4500 مگابایت بر ثانیهظرفیت 2 ترابایتهیت سینک خنککننده مؤثرپشتیبانی از آخرین پلتفرمهای اینتل و AMDپشتیبانی از PS5 به عنوان فضای ذخیرهسازی توسعهیافته
سایر قابلیت ها:حافظه بافر DRAMدارای فناوری SLC Cachingدارای فناوری اصلاح ارور LDPCساختار حافظه 3D NAND Flashدارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابیها: 2 میلیون ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
سایر قابلیت ها:حافظه بافر DRAM دارای فناوری SLC Cachingپشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطاساختار حافظه 3D NAND Flash دارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
سایر قابلیت ها:حافظه بافر DRAM دارای فناوری SLC Cachingدارای فناوری اصلاح ارور LDPC ساختار حافظه 3D NAND Flash دارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابیها: 2 میلیون ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
سایر قابلیت ها:دارای فناوری SLC Cachingدارای فناوری اصلاح ارور LDPC ساختار حافظه QLC 3D NAND Flash دارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:تا 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:تا 450 مگابایت بر ثانیه