وزن		10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی		Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده		Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی		Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه		PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ظرفیت		دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک		1500g , 0.5ms
میانگین عمر	1.5 میلیون ساعت	1.5 میلیون ساعت
نوع فلش	MLC	MLC
قابلیت های حافظه		پشتیبانی از TRIM

وزن	45 گرم	10 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی	Up to 13,000 IOPS	Up to 1,400,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی	Up to 88,000 IOPS	Up to 1,550,000 IOPS
کنترل کننده	Samsung MKX Controller	Samsung V-NAND 3-bit MLC
ظرفیت	250 گیگابایت	دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک	1500G	1500g , 0.5ms
میانگین عمر	1.5 میلیون ساعت	1.5 میلیون ساعت
نوع فلش	MLC	MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	530MB/S	Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	560mb/s	Up to 7,450 MB/s
قابلیت های مقاومتی	مقاوم در برابر لرزش	-
مصرف برق	3.5W	Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)
نوع رابط	SATA 3.0	-

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل EVO 870 ظرفیت 250 گیگابایت

0از 0 رای