ویژگی های اصلی

وزن

10 گرم

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ظرفیت

دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع فلش

MLCMLC

قابلیت های حافظه

پشتیبانی از TRIM

مشخصات

وزن

8 گرم
10 گرم

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

480,000IOPS
Up to 1,400,000 IOPS

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

550,000IOPS
Up to 1,550,000 IOPS

کنترل کننده

SAMSUNG Phoenix
Samsung V-NAND 3-bit MLC

ظرفیت

500 گیگابایت
دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500G
1500g , 0.5ms

نوع فلش

MLC
MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

3200 MB/s
Up to 6,900 MB/s

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

3500 MB/s
Up to 7,450 MB/s

قابلیت های مقاومتی

مقاوم در برابر لرزش
-

تماس با ما