
ویژگی های اصلی
وزن | 10 گرم | |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,400,000 IOPS | |
کنترل کننده | Samsung V-NAND 3-bit MLC | |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,550,000 IOPS | |
نوع رابط حافظه | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 | |
ظرفیت | دو ترابایت | |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500g , 0.5ms | |
میانگین عمر | 1.5 میلیون ساعت | |
نوع فلش | MLC | MLC |
قابلیت های حافظه | پشتیبانی از TRIM |
مشخصات
وزن | 8 گرم | 10 گرم |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | 480,000IOPS | Up to 1,400,000 IOPS |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | 550,000IOPS | Up to 1,550,000 IOPS |
کنترل کننده | SAMSUNG Phoenix | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
ظرفیت | 500 گیگابایت | دو ترابایت |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G | 1500g , 0.5ms |
نوع فلش | MLC | MLC |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 3200 MB/s | Up to 6,900 MB/s |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 3500 MB/s | Up to 7,450 MB/s |
قابلیت های مقاومتی | مقاوم در برابر لرزش | - |