وزن	10 گرم	45 گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی	Up to 1,400,000 IOPS	-
کنترل کننده	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی	Up to 1,550,000 IOPS	-
نوع رابط حافظه	PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0	-
ظرفیت	دو ترابایت	دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک	1500g , 0.5ms	-
میانگین عمر	1.5 میلیون ساعت	-
نوع فلش	MLC	-
قابلیت های حافظه	پشتیبانی از TRIM	-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی	Up to 6,900 MB/s	-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی	Up to 7,450 MB/s	-
مصرف برق	Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)	-
رابط ها	PCI-Express 4.0 x4	-
قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل های	Client PCs, Game Consoles	-

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ™PRO 990 PCIe®4.0 NVMe ظرفیت دو ترابایت

0از 0 رای