
ویژگی های اصلی
وزن | 10 گرم | |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,400,000 IOPS | |
کنترل کننده | Samsung V-NAND 3-bit MLC | |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,550,000 IOPS | |
نوع رابط حافظه | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 | |
ظرفیت | دو ترابایت | |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500g , 0.5ms | |
میانگین عمر | 1.5 میلیون ساعت | 1.5 میلیون ساعت |
نوع فلش | MLC | |
قابلیت های حافظه | پشتیبانی از TRIM |
مشخصات
ظرفیت | 500 گیگابایت | دو ترابایت |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1,500G(Gravity), duration: 0.5ms, 3 axis | 1500g , 0.5ms |
میانگین عمر | 1.5 میلیون ساعت | 1.5 میلیون ساعت |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 5,000 MB/s | Up to 6,900 MB/s |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 6,900 MB/s | Up to 7,450 MB/s |