ویژگی های اصلی

وزن

10 گرم

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ظرفیت

دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت1.5 میلیون ساعت

نوع فلش

MLC

قابلیت های حافظه

پشتیبانی از TRIM

مشخصات

ظرفیت

500 گیگابایت
دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1,500G(Gravity), duration: 0.5ms, 3 axis
1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت
1.5 میلیون ساعت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

5,000 MB/s
Up to 6,900 MB/s

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

6,900 MB/s
Up to 7,450 MB/s

تماس با ما