
ویژگی های اصلی
وزن | 10 گرم | |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,400,000 IOPS | |
کنترل کننده | Samsung V-NAND 3-bit MLC | |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | Up to 1,550,000 IOPS | |
نوع رابط حافظه | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 | |
ظرفیت | دو ترابایت | |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500g , 0.5ms | |
میانگین عمر | 1.5 میلیون ساعت | |
نوع فلش | MLC | |
قابلیت های حافظه | پشتیبانی از TRIM |
مشخصات
وزن | 46 گرم | 10 گرم |
ظرفیت | هشت گیگابایت | دو ترابایت |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 530 MB/S | Up to 6,900 MB/s |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 560 MB/S | Up to 7,450 MB/s |
مصرف برق | میانگین 2.2 وات | Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode) |
نوع رابط | SATA 3.0 | - |