ویژگی های اصلی

وزن

10 گرم

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ظرفیت

دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع فلش

MLC

قابلیت های حافظه

پشتیبانی از TRIM

مشخصات

وزن

45 گرم
10 گرم

ظرفیت

3.84 ترابایت
دو ترابایت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

530MB/S
Up to 6,900 MB/s

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

560mb/s
Up to 7,450 MB/s

قابلیت های مقاومتی

مقاوم در برابر لرزش
-

مصرف برق

4W
Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)

نوع رابط

SATA 3.0
-

تماس با ما