-
ویژگیهای محصول- وزن:7 گرم
- سایر قابلیت ها:TRIM Support
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:320K IOPS
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:90K IOPS
- نوع رابط حافظه:M.2 2280-PCIe 3.0
-
ویژگیهای محصول- ظرفیت:120 گیگابایت
-
ویژگیهای محصول- وزن:50 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:5150
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:5150
- ظرفیت:یک ترابایت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:5150
-
ویژگیهای محصول- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:38,000 (IOPS)
- سایر قابلیت ها:فرم فکتور: SATA 2.5کنترل کننده: PHISON 11ابعاد: 100.20mm (L) x 69.85mm (W) x 7.00mm (H)دمای عملیاتی: 0°C – 70°Cمیانگین زمان عمر (MTBF): 2000000 ساعتفناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)Over-ProvisionLDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:72,000 (IOPS)
- ظرفیت:120 گیگابایت
- میانگین عمر:40 TBW
-
ویژگیهای محصول- وزن:63 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:550
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:500
- ظرفیت:512 گیگابایت
- نوع فلش:TLC
-
-
ویژگیهای محصول- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:23000 IOPS
- وزن:6.3 گرم
- ظرفیت:120 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
- نوع فلش:TLC
-
ویژگیهای محصول- وزن:63 گرم
- سایر قابلیت ها:نسل جدید چیپ ست 3D NANDمصرف پایین انرژیضد ضربه و لرزشعملکرد بدون صدا،بدون تاخیر و جستجوی خطادارای تکنولوژی ECC برای ضمانت اعتبار انتقال داده ها
- ظرفیت:یک ترابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
- نوع فلش:SLC
-
ویژگیهای محصول- ظرفیت:250 گیگابایت
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:3500
-
ویژگیهای محصول- ظرفیت:480 گیگابایت
- قابلیت های مقاومتی:مقاوم در برابر لرزش
-
ویژگیهای محصول- وزن:60 گرم
- سایر قابلیت ها:Powerful ECC engine correcting up to 72bit/1KB SDR cache buffer for strengthened I/O efficiency Supports S.M.A.R.T. commands میانگین زمان بین خطای 1,500,000 ساعت نوع فلش: 3D TLC
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:تا 550 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:تا 500 مگابایت بر ثانیه
- ظرفیت:480 گیگابایت
-
ویژگیهای محصول- سایر قابلیت ها:مقاوم در برابر شوک، قابلیت رمزنگاری داده ها، قابلیت پشتیبانی از TRIM
- ظرفیت:250 گیگابایت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:1300 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:2900 مگابایت بر ثانیه
-
ویژگیهای محصول- وزن:47 گرم
- سایر قابلیت ها:استفاده از چیپهای حافظه با فناوری 3D NAND
- کنترل کننده:SMI
- ظرفیت:128 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
-
ویژگیهای محصول- وزن:8 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:3400
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:3000
- نوع رابط حافظه:m.2
- ظرفیت:یک ترابایت
-
ویژگیهای محصول- وزن:47.5 گرم
- سایر قابلیت ها:حافظه بافر DRAM دارای فناوری SLC Cachingپشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطاساختار حافظه 3D NAND Flash دارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
- ظرفیت:256 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
-
ویژگیهای محصول- سایر قابلیت ها:قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) / رمزگذاری دادهها (Pyrite) / دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگراد
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:420K (IOPS)
- کنترل کننده:PHISON E15T
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:550K (IOPS)
- نوع رابط حافظه:PCIe Gen3x4, NVMe 1.4
-
ویژگیهای محصول- وزن:9 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:3500Mb
- ظرفیت:یک ترابایت
-
ویژگیهای محصول- وزن:11 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:80K
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:80K
- ظرفیت:500 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
-
ویژگیهای محصول- وزن:10 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:7100
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:5800
- نوع رابط حافظه:PCIe Gen 4.0 x4
- ظرفیت:یک ترابایت
-
ویژگیهای محصول- وزن:59.5 گرم
- کنترل کننده:SMI
- ظرفیت:512 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
-
ویژگیهای محصول- ظرفیت:دو ترابایت
-
ویژگیهای محصول- وزن:200 گرم
- ظرفیت:دو ترابایت
-
ویژگیهای محصول- وزن:47 گرم
- سایر قابلیت ها:NAND Flash: 3D NAND
- ظرفیت:240 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
-
ویژگیهای محصول- سایر قابلیت ها:قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) / رمزگذاری دادهها (Pyrite) / دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگراد
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:525,000 (IOPS)
- کنترل کننده:PHISON E21T
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:950,000 (IOPS)
- نوع رابط حافظه:PCIe Gen4x4, NVMe 1.4
بارگزاری محصولات بیشتر
هارد اس اس دی اینترنال
- مشهد، خیابان احمدآباد، بین احمدآباد 21 و سه راه راهنمایی، ساختمان دیانا، طبقه اول تلفن مشهد : 4 8 0 0 5 4 8 3 1 5 0
- تلفن : 09155152914
با ما همراه باشید
پاسخگوی شما هستیم
یکی از راه های زیر را برای ارتباط انتخاب کنید