-
ویژگی‌های محصول- وزن:9.7 گرم
- سایر قابلیت ها:سازگار با PS5قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite)قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.40x24.00x10.70 میلی‌متردمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتی‌گرادحداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500GLDPC (Low Density Parity Check) ECC AlgorithmEnd to End Data Path ProtectionAPST (Autonomous Power State Transition)میانگین عمر 700 TBW
- کنترل کننده:PHISON E18
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:700K (IOPS)
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:350K (IOPS)
-
ویژگی‌های محصول
- ظرفیت:دو ترابایت
-
ویژگی‌های محصول
- سایر قابلیت ها:سازگار با رابط‌های PCIe Gen۴ / Gen۳ / Gen۲ / Gen۱ / قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) / قابلیت‌های LDPC و End to End Data Path Protection و APST و رمزگذاری داده‌ها (Pyrite)
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:۱,۰۰۰,۰۰۰ IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:۹۵۰,۰۰۰ IOPS
- کنترل کننده:PHISON E27T
- نوع رابط حافظه:PCIe Gen4 x4, NVMe 1.4
-
ویژگی‌های محصول
- سایر قابلیت ها:قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) / فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگراد
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:1,400,000 (IOPS)
- کنترل کننده:PHISON E26
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:1,500,000 (IOPS)
- نوع رابط حافظه:PCIe Gen5x4, NVMe 2.0
-
ویژگی‌های محصول
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:38,000 (IOPS)
- سایر قابلیت ها:فرم فکتور: SATA 2.5کنترل کننده: PHISON 11ابعاد: 100.20mm (L) x 69.85mm (W) x 7.00mm (H)دمای عملیاتی: 0°C – 70°Cمیانگین زمان عمر (MTBF): 2000000 ساعتفناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART)Over-ProvisionLDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:72,000 (IOPS)
- ظرفیت:120 گیگابایت
- میانگین عمر:40 TBW
-
ویژگی‌های محصول
- ظرفیت:128 گیگابایت
-
ویژگی‌های محصول
- ظرفیت:یک ترابایت
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:10 گرم
- نوع رابط حافظه:PCIe Gen 4x4
- ظرفیت:500 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
- میانگین عمر:1,500,000 hours
-
ویژگی‌های محصول
- سایر قابلیت ها:PCIe Gen4 x4حداکثر سرعت خواندن/نوشتن به ترتیب 5000/4500 مگابایت بر ثانیهظرفیت 2 ترابایتهیت سینک خنک‌کننده مؤثرپشتیبانی از آخرین پلتفرم‌های اینتل و AMDپشتیبانی از PS5 به عنوان فضای ذخیره‌سازی توسعه‌یافته
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:تا 400 هزار
- کنترل کننده:SMI SM2269XT
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:تا 550 هزار
- نوع رابط حافظه: PCIe Gen4 x4
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:47.5 گرم
- سایر قابلیت ها:حافظه بافر DRAMدارای فناوری SLC Cachingدارای فناوری اصلاح ارور LDPCساختار حافظه 3D NAND Flashدارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابی‌ها: 2 میلیون ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
- ظرفیت:یک ترابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:47.5 گرم
- سایر قابلیت ها:حافظه بافر DRAM دارای فناوری SLC Cachingپشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطاساختار حافظه 3D NAND Flash دارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
- ظرفیت:256 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:47.5 گرم
- سایر قابلیت ها:حافظه بافر DRAM دارای فناوری SLC Cachingدارای فناوری اصلاح ارور LDPC ساختار حافظه 3D NAND Flash دارای استانداردهای CE، FCC و ROHSمیانگین زمان بین خرابی‌ها: 2 میلیون ساعتدمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
- ظرفیت:512 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:11 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:80K
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:80K
- ظرفیت:250 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:11 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:80K
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:80K
- ظرفیت:500 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:8 گرم
- ظرفیت:یک ترابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G/0.5ms
- میانگین عمر:2 میلیون ساعت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 3000 مگابایت بر ثانیه
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:46 گرم
- ظرفیت:هشت گیگابایت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:530 MB/S
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:560 MB/S
- مصرف برق:میانگین 2.2 وات
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:46 گرم
- ظرفیت:هشت ترابایت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:530 MB/S
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:560 MB/S
- مصرف برق:میانگین 2.2 وات
-
-
ویژگی‌های محصول
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 480,000IOPS
- وزن:8 گرم
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 550,000IOPS
- کنترل کننده:SAMSUNG Phoenix
- ظرفیت:دو ترابایت
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:8 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:480,000IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:550,000IOPS
- کنترل کننده:SAMSUNG Phoenix
- ظرفیت:250 گیگابایت
-
ویژگی‌های محصول
- ظرفیت:500 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1,500G(Gravity), duration: 0.5ms, 3 axis
- میانگین عمر:1.5 میلیون ساعت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:5,000 MB/s
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:6,900 MB/s
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:60 گرم
- سایر قابلیت ها:نسل جدید چیپ ست 3D NAND مصرف پایین انرژی ضد ضربه و لرزش عملکرد بدون صدا،بدون تاخیر و جستجوی خطا دارای تکنولوژی ECC برای ضمانت اعتبار انتقال داده ها
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:تا 560مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:تا 560مگابایت بر ثانیه
- ظرفیت:دو ترابایت
-
ویژگی‌های محصول
- وزن:8 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:3400
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:3000
- نوع رابط حافظه:m.2
- ظرفیت:یک ترابایت
-
ویژگی‌های محصول
- ظرفیت:500 گیگابایت
بارگزاری محصولات بیشتر
هارد اس اس دی اینترنال
مقایسه ( 0 مورد )
- مشهد، خیابان احمدآباد، بین احمدآباد 21 و سه راه راهنمایی، ساختمان دیانا، طبقه اول تلفن مشهد : 4 8 0 0 5 4 8 3 1 5 0
- تلفن : 02128422914
- ایمیل : Cibesabz724@Gmail.com
با ما همراه باشید
